IT 之家 4 月 18 日音信黑丝 探花，据韩媒《ChosunBiz》当地时辰 16 日报说念，三星电子在其 4nm 制程 HBM4 内存逻辑芯片的初步测试坐褥中赢得了 40% 的良率，这高于一般的 10% 早先，也好于此前同制程居品的不及 20%。

40% 仅仅一个初期得益，改日会跟着芯片制造的练习迟缓进步。而该百分比线路 4nm HBM4 逻辑芯片的进一步确立有了较为判辨的基础。

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三星电子在 HBM3 时期遭逢了枢纽坚苦，将 70% 的 HBM 内存阛阓份额拱手送给主要竞争敌手 SK 海力士，更是频年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HBM4 上聘用较为激进的时间门道，以拯救场面。

三星电子将在 12Hi HBM4 中聘用 1c nm DRAM 内存芯片和 4nm 逻辑芯片，固然逻辑芯片端的运转得益较为喜东说念主，但 1c DRAM 方面似乎遇到了一些问题。

另一家韩媒《DealSite》当地时辰昨日报说念称，自 1z nm 时期起首出现的电容走电问题正对三星 1c nm DRAM 着实立量产变成明显影响。三星试图通过合适放宽线宽等步地来转变电容器确认，但判辨性尚未达到预期水平黑丝 探花，很可能会拖慢 1c nm 程度。